原子層沉積前驅體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅體種類較少而且價格昂貴；傳統熱原子層沉積技術因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規模工業生產；隨著原子層沉積技術與其他先進技術不斷融合以及人們對原子層沉積設備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術”、“空間式原子層沉積技術”、“流化床原子層沉積技術”等新型原子層沉積技術逐漸出現并在一定程度上有效解決了傳統熱原子層沉積技術所面臨的諸多難題。一套成熟的空間式原子層沉積設備需保證每小時超...

原子層沉積技術經過四十多年的發展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上，都已經取得了長足進步，在眾多領域更是展現出令人期待的商業前景。但傳統的熱原子層沉積技術在發展過程中仍面臨著一些挑戰。比如：原子層沉積前驅體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅體種類較少而且價格昂貴；傳統熱原子層沉積技術因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規模工業生產；此外，熱原子層沉積技術難以用來沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術與其他先...

ICP刻蝕機作為核心刻蝕工藝設備，其工藝表現將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術優勢，隨著半導體工藝技術的發展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規模集成電路微米、甚至納米級細線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發展起來。在干法刻蝕中，感應耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側壁垂直度高以及光潔度好，逐漸...

在各種集成電路的制造過程中，隨著清洗方法的不斷創新與聯合應用，目前的硅片清洗機已不再是一個簡單的制作步驟，而是一個系統的清洗工程。硅片清洗技術的革新與發展，推動了清洗設備制造企業加大研發力度，不僅僅是制造出設備，從某個角度來說，還需根據各家硅片生產企業的具體情況提供不同的清洗方案和設備定制設計，幫客戶大限度地降低成本和減少損失，同時盡量減少清洗設備本身可能帶來的沾污。未來的硅片清洗機將向整合性，集成化與全自動的方向發展。由于硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性和成品率...

硅片清洗機不僅保留了超聲波清洗的優點，而且克服了超聲波清洗的缺點。兆聲無損清洗機的工作原理是利用高能（850kHz）頻率效應和化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗。在清洗過程中，換能器發出的高能聲波波長為1m，頻率為0.8MHZ。在聲波的驅動下，溶液的分子運動得更快。瞬時速度可達30cm/s。因此，無法形成超聲清洗等氣泡。相反，硅片清洗機只能用高速的流體波不斷地沖擊晶圓片表面，迫使附著在晶圓片表面的微小污染物顆粒被去除并進入清洗溶液中。經濟的發展，人們的生活水平不斷提高，對消費...

影響一面平面透鏡的透光度有許多成因。鏡面的粗糙度會造成入射光的漫射，降低鏡片的透光率。此外材質的吸旋光性，也會造成某些入射光源的其中部分頻率消散的特別嚴重。例如會吸收紅色光的材質看起來就呈現綠色。不過這些加工不良的因素都可以盡可能地去除。光學鍍膜系統我們知道是由于現代光學和光電系統重要的組成部分，在光通信、光顯示、激光加工、激光融合等高技術和工業領域，技術突破往往成為現代光學和光電子系統加速發展的主要原因。光學鍍膜的技術性能和可靠性直接影響到應用系統的性能、可靠性和成本。隨著...

通常空氣的成分能夠看作由絕干空氣、水汽、塵土三有些組成。熱真空試驗箱溫度為音準空氣在必定壓力及溫度下所含水汽的質量。飽和濕度為單位空氣在該條件下所能包括的大水汽質量。溫度超市，空氣中所能包括的水汽越多，飽和濕度越大。濕度與飽和濕度的比值為相對濕度。假如堅持空氣的濕度而下降空氣的溫度，當溫度低至必定值后，水蒸汽的分壓力到達對應于其時空氣溫度的飽和壓力，該條件下的空氣中水汽就到達飽和。假如進一步下降空氣溫度，水汽就會從空氣中冷凝析出構成“露滴”。這種表象被稱為“凝露”。熱真空試驗...

在早些年前ICP刻蝕機在行業內幾乎都統稱為觸摸屏激光刻蝕機，在觸摸屏行業內得到了廣泛應用，手機電阻屏、電容屏的發展也讓激光刻蝕機廠家發展發生了質的變化，主要體現為ITO玻璃激光刻蝕、銀漿玻璃激光刻蝕等，也有一部分是ITO薄膜與銀漿薄膜刻蝕。ICP刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。ICP刻蝕機主要對太陽能...